SK 海力士發布全球首款 238 層 NAND 芯片
美光上週表示,它已經開始出貨首批 232 層 NAND 芯片,將其推向內存行業的頭把交椅。然而,事實證明,SK 海力士自己宣布了世界上第一個 238 層 NAND 芯片。
繼 2020 年 12 月開發 176 層 NAND 芯片後,SK 海力士在存儲芯片領域的下一個突破是容量為 512Gbps 的 238 層 TLC 4D NAND 芯片。正如在聖克拉拉舉行的 2022 年閃存峰會上宣布的那樣,新的芯片開發階段已於本月完成,但預計要到 2023 年上半年才能開始量產。2023年,SK海力士還計劃推出238層1TB產品。
為了實現這一里程碑,SK 海力士依靠兩項核心技術:電荷陷阱閃存和外圍元件。這兩個元素構成了 238 層 NAND 芯片(尺寸最小的存儲芯片)中使用的四維結構的基礎。因此,它們的單位單元面積更小,效率更高,讀取數據所需的功率降低了 21%。更重要的是,它們縮小的尺寸使 SK 海力士能夠從晶圓生產更多芯片,與 176 層 NAND 相比,整體性能提高了 34%。
238 層 NAND 將於 2023 年首次出現在消費級 SSD 上。SK 海力士還計劃發布 238 層產品,該產品將能夠以 2.4 Gbps 的速度傳輸數據,比上一代 IC 快 50%。
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