SK 海力士發布全球首款 238 層 NAND 芯片

美光上週表示，它已經開始出貨首批 232 層 NAND 芯片，將其推向內存行業的頭把交椅。然而，事實證明，SK 海力士自己宣布了世界上第一個 238 層 NAND 芯片。

繼 2020 年 12 月開發 176 層 NAND 芯片後，SK 海力士在存儲芯片領域的下一個突破是容量為 512Gbps 的 238 層 TLC 4D NAND 芯片。正如在聖克拉拉舉行的 2022 年閃存峰會上宣布的那樣，新的芯片開發階段已於本月完成，但預計要到 2023 年上半年才能開始量產。2023年，SK海力士還計劃推出238層1TB產品。

為了實現這一里程碑，SK 海力士依靠兩項核心技術：電荷陷阱閃存和外圍元件。這兩個元素構成了 238 層 NAND 芯片（尺寸最小的存儲芯片）中使用的四維結構的基礎。因此，它們的單位單元面積更小，效率更高，讀取數據所需的功率降低了 21%。更重要的是，它們縮小的尺寸使 SK 海力士能夠從晶圓生產更多芯片，與 176 層 NAND 相比，整體性能提高了 34%。

238 層 NAND 將於 2023 年首次出現在消費級 SSD 上。SK 海力士還計劃發布 238 層產品，該產品將能夠以 2.4 Gbps 的速度傳輸數據，比上一代 IC 快 50%。