幾年前，最初的跡像開始表明摩爾定律不起作用。從那時起，情況有所改善，芯片製造商使用更小的組件和不同的封裝方法重新設計他們的設計，以改進他們的產品。由於英特爾的最新進展，摩爾定律將持續相當長一段時間。
未來四年，英特爾產品將基於英特爾 7（Alder Lake）、英特爾 4 和英特爾 3 技術節點。此外，正如在 2021 年 IEDM（國際電子器件會議）上宣布的，英特爾希望利用其在封裝、晶體管和量子物理領域的新突破，進一步推進摩爾定律。
使用新的縮放技術，英特爾計劃通過混合互連將互連密度提高十倍，並將晶體管面積提高 30-50%，從而找到更好的 GAA（Gate All Around）縮放工藝。此外，英特爾正在探索使用 2D 材料創建更短通道的可能性，克服傳統材料的局限性。
英特爾還為矽芯片帶來了新功能，以跟上性能需求。在這一領域，英特爾已經在 300 毫米晶圓上開發出全球首款採用矽 CMOS 的基於 GaN 的電源開關，為能夠處理更高電壓的處理器奠定了基礎，同時減少了主板組件和空間。此外，這家芯片製造商還在測試名為 FeRAM 的板載 DRAM，它的讀/寫延遲僅為 2ns。
最後，英特爾計劃在其處理器中使用矽晶體管量子計算，設計一種允許它們在室溫下運行的方法。發明這種方法需要時間，但英特爾已經在用量子MOSFET替代經典MOSFET方面取得了令人鼓舞的成果。
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