英特爾正在為其下一代處理器開發樂高 Chiplet 架構

英特爾正在研究一種名為 Foveros 的新芯片堆疊技術，稍後會詳細介紹。這項技術將分為三種類型：Foveros、Foveros Omni 和 Foveros Direct。 

第一種類型，Foveros，將能夠生產大批量和高容量的微芯片。第二個選項 Foveros Omni 提供 4 倍於英特爾 EMIB 封裝技術的互連密度。最後，與第一種類型（Foveros）相比，Foveros Direct 會將這一優勢提高到大約 x16。 

什麼是 Foveros？

簡單來說，Foveros 是一種芯片堆疊技術。您可以觀看來自英特爾的YouTube 視頻以進行可視化。我們的微電路是根據單片 ​​(2D) 方案製成的。英特爾想，“如果我們垂直堆疊我們的芯片”或以 3D 模式堆疊會怎樣。這正是 Foveros 所做的。

摩爾定律繼續存在

英特爾尚未出現的第 14 代處理器將使用新的 3D Foveros 技術，試圖盡可能長時間地遵循摩爾定律。然而，分解設計是以性能為代價的，因為 3D 堆疊技術提供了更快的互連、內存路由和緩存內存。這將大大節省電力。 

在高速計算的時代，功率是必須的。然而，這不應以大規模效率低下為代價。Foveros 旨在通過減少每個位所需的功率來解決這個問題。與標準包裝相比，Foveros 可降低高達 90% 的能耗。 

看流星湖的佈局

使用英特爾專有的 3D 堆疊技術，整個 CPU 芯片將分為 4 個部分。GPU 瓦片、SoC 瓦片、CPU 瓦片、擴展 I/O 瓦片應該為 Meteor Lake 供電。這些小芯片將相互連接（字面上就像樂高一樣）。

• CPU Tile = Intel 4 ‘7nm’
• SOC 瓦片/IOE 瓦片 = 6nm 台積電 (6N)
• GPU Tile = 台積電 5nm

樂高風格設計

芯片將像樂高一樣折疊和連接。36 微米的芯片到芯片間距將減少延遲並提高效率。頂部和底部具有相互連接的互連。 

哈斯韋爾與流星湖

就 10 年的性能差距而言，我們已經看到英特爾 Meteor Lake 自 2013 年以來一直與 Haswell 正面交鋒。性能差異並不大（考慮到 10 年過去了）。然而，效率的提高將是巨大的。此外，實際性能數據可高達 10 倍。 

採用分解設計的單片電源？

英特爾聲稱 Meteor Lake 將提供單片電源，但將採用分解設計。Meteor Lake 的 SKU 的 TDP 範圍從 <10W 到 >100W。流星湖計劃在 2023 年上映，而如果一切按計劃進行，箭湖最早可以在 2024 年看到。 

您對英特爾 Meteor Lake 感到興奮嗎？我們將首先看到 Raptor Lake（第 13 代），但等待時間不會那麼長。