英特爾 3D 堆疊 CMOS 電晶體將背面電源與背面結合直接背面接觸可提供更高的性能和性能下一代晶片的擴展

英特爾正在展示其新一代 3D 堆疊 CMOS 電晶體技術，該技術利用背面電源和晶片技術。直接背面接觸可在下一代晶片上提供更高的性能和擴展性。

英特爾成功實現晶圓上矽晶體管的大規模 3D 單片集成，展示利用背面電源和技術的 3D 堆疊 CMOS 晶體管直接背面接觸

新聞稿：今天，英特爾公佈了多項技術突破，這些突破為公司未來工藝路線圖保留了豐富的創新管道，強調了摩爾定律的延續和發展。

在2023 年IEEE 國際電子元件會議 (IEDM) 上，英特爾研究人員展示了3D 堆疊CMOS（互補金屬氧化物半導體）晶體管的進展與背面電源和直接背面接觸相結合。該公司還報告了背面電力傳輸（例如背面接觸）的最新研發突破的擴展路徑，並且它是第一個在同一晶片上成功展示矽晶體管與氮化鎵（GaN）晶體管的大規模3D單片集成的公司。300 mm (mm) 晶圓，而不是封裝上。

「當我們進入 Angstrom 時代並在四年內超越五個節點時，持續創新比以往任何時候都更加重要。在 IEDM 2023 上，英特爾展示了其在推動摩爾定律方面取得的研究進展，強調我們有能力帶來領先的技術，為下一代移動計算實現進一步擴展和高效的電力傳輸。”